特許 | ||
发明的名称 | 题目 | |
使硅晶片干燥的设备及干燥办法 | 通过硅晶片的干燥设备,使硅晶片面全部一 样效果高地干燥。 |
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半导体基板或元件的洗涤方法 |
使用臭氧水半导 体基板或元件的洗涤方法于、 以使总有机碳量减低的超纯水做原料和溶媒延长被制造的超纯度臭氧水的臭氧半衰期、 提供谋划洗涤能 力和洗涤效果率提高的洗涤办法。 |
特許 | ||
发明的名称 | 题目 | |
使硅晶片干燥的设备及干燥办法 | 通过硅晶片的干燥设备,使硅晶片面全部一 样效果高地干燥。 |
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半导体基板或元件的洗涤方法 |
使用臭氧水半导 体基板或元件的洗涤方法于、 以使总有机碳量减低的超纯水做原料和溶媒延长被制造的超纯度臭氧水的臭氧半衰期、 提供谋划洗涤能 力和洗涤效果率提高的洗涤办法。 |
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